报告嘉宾：韩根全，西安电子科技大学二级教授
报告题目：铁电材料在集成电路中的研究进展及挑战
报告时间：4月22日（周三）下午14:00
报告地点：23号楼D202
报告摘要：在众多非易失性存储技术中，铁电存储材料与器件技术备受关注，其中HfO₂基铁电材料可实现多种结构的低功耗非易失性存储器，而ZrO₂反铁电材料则展现出更低操作电压等优势。同时，纤锌矿铁电材料因具备相结构简单、极化强度高和制备温度低等特点，成为重要的新兴研究方向。本次报告将系统介绍西安电子科技大学在铪基铁电、ZrO₂反铁电材料与器件及其芯片集成，以及纤锌矿AlScN铁电材料与器件方面的最新进展。铁电存储器件和存算芯片方面的成果，充分展现了铁电器件在提升计算与存储能力方面的巨大潜力。
报告人简介：韩根全，博士，西安电子科技大学二级教授，国家杰青，入选陕西省“百人计划”高层次人才和杭州市高层次人才。本科毕业于清华大学，2008年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。2008年加入新加坡国立大学从事高端微电子器件研究工作，在先进CMOS器件研究方面取得了国际领先的原创性成果。2013年回国后主要从事后摩尔新型微纳米器件和芯片、超宽禁带氧化镓功率器件和光电器件等方面的研究。获得陕西省青年科技奖、电子学会优秀毕业论文导师奖、全国颠覆性技术创新大赛优秀奖、长三角-粤港澳大湾区集成电路创业大赛奖等。担任IEEE Electron Device Letters、Journal of Semiconductors副主编。在IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和Nature Communications/IEEE Electron Device Letters等微电子器件会议和期刊发表论文400多篇。原创发明离子刀剥离与键合实现异质集氧化镓技术，开发设计多种氧化镓器件性能解决方案，原创发明高迁移率锗锡沟道CMOS晶体管技术，发展多种新型铁电存储器件和阵列芯片技术。